Samsung fertigt erstes DDR4 RAM Modul
Autor: Bjoern
Samsung hat die Fertigung eines ersten DDR4-RAM-Prototypen bekanntgegeben. Der neue Speicher hat eine geringere Leistungsaufnahme und bietet höhere Datentransferraten als DDR3-RAM.
Produziert in 30nm-Fertigungstechnik erreicht das DDR4-Modul Transferraten von 2.133 GBit/s bei einer Spannung von nur 1,2 Volt. Aktuelle DDR3-Module arbeiten mit 1,35 bis 1,5 Volt und bieten Datentransferraten von 1,6 GBit/s.
Durch die Anwendung der Pseudo Open Drain (POD) Technik aus der Welt der Grafikspeicher (GDDR) soll der Speicher mit der Hälfte der Stromstärke von DDR3-RAM arbeiten können. Zusammen mit der niedrigeren Spannung wird so im Vergleich zu DDR3 eine um etwa 40 Prozent niedrigere Leistungsaufnahme erreicht.
DDR4 soll so mehr Leistung bei niedrigerem Verbrauch bieten. Ab wann der Speicher in die Produktion geht und verfügbar sein soll wurde nicht gesagt. Es wird aber sicherlich noch ein wenig dauern, bis DDR4 auf den Markt kommt.
Quellen: VR-Zone, Korea NewsWire
Bisher keine Kommentare.